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会议结束，周文渊和其他人离开，只剩下了韩靖和童淮两人。
看著这个师弟，童淮语气里满是急切又带著一丝期许：“师弟，你真有把握解决kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题？
“那可是导师和整个团队耗了小半年都没解决的难题，三天时间也太短了！”
“你这次真的衝动了！”
韩靖笑了下，淡定的开口道：“师兄，你什么时候见我说过大话？”
说著，他转头看向童淮，眼神里没有了会议室里的锋芒，多了几分沉稳。
“师兄，我们没有退路，要么拿下这个难题，保住kl-02项目，要么看著导师的心血付诸东流，我们也没法顺利毕业。”
“而且，我不是凭空吹牛，我真的有把握解决这个难题！”
闻言，童淮倒是下意识的回想了一下。
確实，他这位师弟並不是那种喜欢吹牛，做事不顾一切后果的人。
相反，在导师陈维德教授的几个学生中，韩靖才是最耐住性子最稳妥的那一个。
看著韩靖坚定的眼神，童淮重重点头：“好！我信你！实验需要帮忙吗？我这段时间也一直在跟进kl-02的工艺部分，多少能搭把手。”
韩靖：“当然！”
停顿了一下，他站起身，接著道：“但在进行实验之前，我们还有另一件更重要的事情需要做。”
闻言，童淮有些好奇的问道：“怎么了？”
韩靖：“我需要向周主任，向学校申请一间独立於kl-02微型晶片项目之外的其他实验室，以及相关的器材设备和材料！”
听到这话，童淮下意识的开口道：“研究中心这边不是有完整的实验室吗？可以直接用啊，为啥要申请新的实验室和器材设备？”
韩靖笑了下，道：“听我的就行。”
.....
確认好接下来要做什么后，两人直奔微处理器研发中心周文渊主任的办公室。
听到韩靖申请一间独立於kl-02微型晶片项目之外的实验室，以及相关器材设备和材料的来意后，周文渊饶有深意地看了他一眼。
这小傢伙，心思倒是挺深的。
不过也好，这样也算是有备无患。
周文渊同意了韩靖的请求，从抽屉中取出一把实验室的备用钥匙递给了他，然后笑著开口道。
“这是四號实验室的钥匙，目前没人使用，这三天的时间就先归你，里面的设备器材都有。”
“至於材料，你写个申请上来，我给你批条子，你找后勤老师去拿就行。”
从桌上接过四號实验室的钥匙，韩靖微微鞠了一躬，道：“谢谢周主任。”
很显然，周文渊看出了他想做什么，也支持他这么做。
倒也好，省去了他解释的麻烦。
......
花了一上午的时间，將实验室、器材设备与实验需要的相关材料申请下来后，韩靖和童淮拿著钥匙来到了四號实验室。
有些意外的是，kl-02项目中，负责晶片掺杂工艺的研究员李暉正站在门口等著他们。
“李哥，你怎么在这。”
看到李暉，韩靖笑著打了个招呼。
和赵知许不同的是，李暉身上有著传统理工科学者的气质，相对沉默寡言，对实验与研究固执，爭论靠数据，最高评价是符合逻辑、可行等等词汇。
两人之间的关係也走得更加的亲近一些。
李暉也没有犹豫，径直开口道：“关於你在上午会议室中所说的解决kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题的方案研究，我想参与！”
闻言，韩靖有些讶异地开口道：“解决方案我不是都已经在会议上说了，你可以直接在实验室里面做啊。”
“啊？”
李暉愣了一下，摸了摸脑袋开口道：“这是你提出来的解决方案，我怎么能做实验呢，这不太好吧。”
在他看来，这是韩靖的解决方案，而且还在会议室上那么详细的讲解了，说明这已经是属於他的智慧財產权了。
他不问自取，这算是盗窃別人的东西。
韩靖也愣了一下，旋即笑著道：“所以你就在这里等著？”
李暉点了点头，道：“嗯，你不是和校领导那边立下了三天的军令状吗？”
“这三天肯定要做实验的，所以我就问了问周主任，然后来这边想问问你还缺不缺人，我可以参与。”
闻言，韩靖笑著点点头，道：“行，那李哥你来吧，多一个人，我们也多一份把握。”
说著，他取出钥匙打开了四號实验室的大门，接著补充道：“我们先整理实验器材，核对所有设备参数、材料等东西，下午就开始动手。”
“ok！”
“没问题。”
....
不到一个小时，准备工作就基本就绪。李暉拿著韩靖標註的参数清单，反覆看了几遍，眉头渐渐皱了起来，脸上露出了疑惑的神色。
他犹豫了片刻，还是拿著清单快步走到韩靖身边，语气带著几分不確定地询问道。
“韩靖，你这参数设置，是不是有点问题？”
韩靖正低头调试笔记本电脑上的实验数据，闻言抬起头：“怎么了，李哥？哪里有问题？”
李暉指著清单上的一行字，语气凝重：“你看，这个pai环节的离子注入剂量，是不是太高了？”
“按照常规工艺，这个剂量已经超出了安全范围，离子注入太多，会严重损伤晶圆表面的晶格结构。”
“到时候別说解决掺杂浓度偏移的问题，连晶片基底都会被损坏，前期的所有努力就都白费了。”
一旁，童淮听到这话，也凑了过来，看著清单上的参数，脸色也微微一变。
“是啊，师弟，李哥说得对，这个剂量確实太高了，导师之前也试过类似的剂量，最后晶圆直接报废了。”
听到这话，韩靖却丝毫不慌，接过参数清单，指著重难点，耐心解释道：“放心吧，这个剂量看似偏高，但其实是合理的。”
“我们会先引入氮化界面层，这种界面层能有效抑制硼穿透效应，刚好可以抵消高剂量离子注入带来的损伤。”
“这不仅不会损坏晶圆基底，还能精准控制掺杂深度，让沟道掺杂浓度达到平衡——这也是解决这个难题的核心关键。”
停顿了一下，他补充了一句，算是给出了个解释。
“导师以前的失败，理论上来说就是因为没有提前控制这些变量而导致的。”
“而这份方案也是在以前的实验数据上做出来的优化的，不会错的！”
.....